array(61) {
["id"]=>
string(2) "30"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/67469/si1539cd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(70) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SI1539CDL-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI1539CDL-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "21000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992373"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 30V SOT363"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(13) "700mA，500mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(24) "388 毫欧 @ 600mA，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "1.5nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "28pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "340mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(7) "SOT-363"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "RG**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1539CDL-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：700mA，500mA
功率 - 最大值：340mW
|
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG10-30
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539CDL-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
|
|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "42"
["pdf_add"]=>
string(44) "http://www.vishay.com/docs/71434/si1026x.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Pkg%205880.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Pkg_5880.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI1026X-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI1026X-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "33000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992373"
["ms"]=>
string(30) "MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "60V"
["dl_lxlj"]=>
string(5) "305mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(24) "1.4 欧姆 @ 500mA，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "0.6nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "30pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "250mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(17) "SOT-563，SOT-666"
["gysqjfz"]=>
string(7) "SC-89-6"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "E**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1026X-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1026X-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1026X-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：305mA
功率 - 最大值：250mW
|
外壳：
封装：SC-89-6
料号：JTG10-42
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1026X-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "44"
["pdf_add"]=>
string(42) "http://www.vishay.com/docs/71170/71170.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Pkg%205880.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Pkg_5880.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI1024X-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI1024X-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "27000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992373"
["ms"]=>
string(30) "MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(5) "485mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(25) "700 毫欧 @ 600mA，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(14) "900mV @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(13) "0.75nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "250mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(17) "SOT-563，SOT-666"
["gysqjfz"]=>
string(7) "SC-89-6"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "C**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1024X-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1024X-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1024X-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：485mA
功率 - 最大值：250mW
|
外壳：
封装：SC-89-6
料号：JTG10-44
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1024X-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "45"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/67192/si1922ed.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "https://media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SI1922EDH-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI1922EDH-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "21000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992393"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "1.3A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "198 毫欧 @ 1A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "2.5nC @ 8V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "1.25W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(20) "SC-70-6（SOT-363）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "CG**"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1922EDH-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1922EDH-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1922EDH-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：1.3A
功率 - 最大值：1.25W
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外壳：
封装：SC-70-6（SOT-363）
料号：JTG10-45
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1922EDH-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "46"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/71080/si1902dl.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "https://media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI1902DL-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI1902DL-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "15000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(4) "2031"
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992373"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(5) "660mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(25) "385 毫欧 @ 660mA，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "1.2nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "270mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(20) "SC-70-6（SOT-363）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "PA*"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1902DL-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1902DL-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1902DL-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：660mA
功率 - 最大值：270mW
|
外壳：
封装：SC-70-6（SOT-363）
料号：JTG10-46
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1902DL-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "47"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/73684/si1926dl.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "https://media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg"
["images"]=>
string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI1926DL-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI1926DL-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "12000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992393"
["ms"]=>
string(30) "MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "60V"
["dl_lxlj"]=>
string(5) "370mA"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(24) "1.4 欧姆 @ 340mA，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "1.4nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "18.5pF @ 30V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "510mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363"
["gysqjfz"]=>
string(20) "SC-70-6（SOT-363）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "PD**"
["gl_dmtp"]=>
string(47) "JtgFetMosfetZlGlDm/2017-11-27/5a1b6c1f0cd30.jpg"
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "816"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "4"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI1926DL-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1926DL-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1926DL-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：370mA
功率 - 最大值：510mW
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外壳：
封装：SC-70-6（SOT-363）
料号：JTG10-47
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1926DL-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "68"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/68965/si5935cd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Pkg%205547.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Pkg_5547.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SI5935CDC-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI5935CDC-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "48000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992508"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "4A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(24) "100 毫欧 @ 3.1A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(9) "11nC @ 5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "455pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "3.1W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(20) "8-SMD，扁平引线"
["gysqjfz"]=>
string(17) "1206-8 CHIPFET™"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI5935CDC-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5935CDC-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5935CDC-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：3.1W
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丝印：
外壳：
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-68
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5935CDC-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "79"
["pdf_add"]=>
string(46) "http://www.vishay.com/docs/65176/sia519edj.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(93) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Vishay_PowerPAK%20SC-70-6%20Dual.jpg"
["images"]=>
string(107) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Vishay_PowerPAK_SC-70-6_Dual.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SIA519EDJ-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SIA519EDJ-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "12000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992544"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "4.5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "40 毫欧 @ 4.2A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "12nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "350pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "7.8W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["gysqjfz"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "EG*"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SIA519EDJ-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA519EDJ-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA519EDJ-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A
功率 - 最大值：7.8W
|
外壳：
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-79
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA519EDJ-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "84"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/65736/si3932dv.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TSOT-23-6,%20TSOT-6.jpg"
["images"]=>
string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95A.jpg"
["ljbh"]=>
string(20) "SI3932DV-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "SI3932DV-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "15000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992393"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "3.7A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "58 毫欧 @ 3.4A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "2.2V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(9) "6nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "235pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "1.4W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(27) "SOT-23-6 细型，TSOT-23-6"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "MH***"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(36) "后三位可以是大写或者小写"
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "801"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI3932DV-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.7A
功率 - 最大值：1.4W
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外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-84
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3932DV-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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array(61) {
["id"]=>
string(2) "85"
["pdf_add"]=>
string(46) "http://www.vishay.com/docs/65535/sia910edj.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(93) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Vishay_PowerPAK%20SC-70-6%20Dual.jpg"
["images"]=>
string(107) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Vishay_PowerPAK_SC-70-6_Dual.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SIA910EDJ-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "15000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992544"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "12V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "4.5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "28 毫欧 @ 5.2A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(9) "16nC @ 8V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "455pF @ 6V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "7.8W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["gysqjfz"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "CF*"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SIA910EDJ-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A
功率 - 最大值：7.8W
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外壳：
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-85
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA910EDJ-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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array(61) {
["id"]=>
string(2) "87"
["pdf_add"]=>
string(42) "http://www.vishay.com/docs/72032/72032.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TSOT-23-6,%20TSOT-6.jpg"
["images"]=>
string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95A.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI3590DV-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI3590DV-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "36000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992393"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "2.5A，1.7A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "77 毫欧 @ 3A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.5V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(12) "4.5nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "830mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(27) "SOT-23-6 细型，TSOT-23-6"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "90***"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "801"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI3590DV-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：2.5A，1.7A
功率 - 最大值：830mW
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外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-87
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3590DV-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(2) "91"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/68791/si9933cd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(72) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC,%208-SOP.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(21) "SI9933CDY-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI9933CDY-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "2500"
["xysl"]=>
string(4) "5000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992544"
["ms"]=>
string(26) "MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "4A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "58 毫欧 @ 4.8A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(13) "1.4V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "26nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "665pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "3.1W"
["gzwd"]=>
string(23) "-50°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(4) "8-SO"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI9933CDY-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：3.1W
|
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-91
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9933CDY-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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array(61) {
["id"]=>
string(2) "92"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/65710/sia975dj.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(93) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Vishay_PowerPAK%20SC-70-6%20Dual.jpg"
["images"]=>
string(107) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Vishay_PowerPAK_SC-70-6_Dual.jpg"
["ljbh"]=>
string(20) "SIA975DJ-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "SIA975DJ-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "18000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992565"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "12V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "4.5A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "41 毫欧 @ 4.3A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(9) "26nC @ 8V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "1500pF @ 6V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "7.8W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["gysqjfz"]=>
string(22) "POWERPAK® SC-70-6 双"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(3) "DJ*"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
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型号： SIA975DJ-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A
功率 - 最大值：7.8W
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外壳：
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-92
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA975DJ-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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array(61) {
["id"]=>
string(2) "96"
["pdf_add"]=>
string(42) "http://www.vishay.com/docs/71130/71130.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-TSSOP_8-MSOP.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/8-TSSOP_8-MSOP.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SI6954ADQ-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI6954ADQ-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "3000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992520"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "3.1A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "53 毫欧 @ 3.4A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(23) "1V @ 250µA（最小）"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "16nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "830mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(23) "8-TSSOP（4.40mm 宽）"
["gysqjfz"]=>
string(7) "8-TSSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "852"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI6954ADQ-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6954ADQ-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6954ADQ-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.1A
功率 - 最大值：830mW
|
丝印：
外壳：
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-96
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6954ADQ-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "103"
["pdf_add"]=>
string(42) "http://www.vishay.com/docs/72754/72754.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-TSSOP_8-MSOP.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/8-TSSOP_8-MSOP.jpg"
["ljbh"]=>
string(20) "SI6926ADQ-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "SI6926ADQ-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "21000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992508"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "4.1A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "30 毫欧 @ 4.5A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "1V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(13) "10.5nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "830mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(23) "8-TSSOP（4.40mm 宽）"
["gysqjfz"]=>
string(7) "8-TSSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "852"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI6926ADQ-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6926ADQ-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6926ADQ-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4.1A
功率 - 最大值：830mW
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丝印：
外壳：
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-103
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6926ADQ-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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array(61) {
["id"]=>
string(3) "105"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/74469/si4936bd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(72) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC,%208-SOP.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(20) "SI4936BDY-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "SI4936BDY-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "2500"
["xysl"]=>
string(4) "5000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992469"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "6.9A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "35 毫欧 @ 5.9A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "15nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "530pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "2.8W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(4) "8-SO"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI4936BDY-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4936BDY-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4936BDY-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 15V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：6.9A
功率 - 最大值：2.8W
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-105
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4936BDY-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "106"
["pdf_add"]=>
string(46) "http://www.vishay.com/docs/71133/si4532ady.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(72) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC,%208-SOP.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(20) "SI4532ADY-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "SI4532ADY-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "2500"
["xysl"]=>
string(4) "2500"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992405"
["ms"]=>
string(29) "MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(9) "3.7A，3A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "53 毫欧 @ 4.9A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(23) "1V @ 250µA（最小）"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "16nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(12) "1.13W，1.2W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(4) "8-SO"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI4532ADY-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4532ADY-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4532ADY-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 15V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.13W，1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.7A，3A
功率 - 最大值：1.13W，1.2W
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-106
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4532ADY-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "108"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/68747/si5515cd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(71) "//media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Pkg%205547.jpg"
["images"]=>
string(87) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Vishay_Siliconix_Renders/Pkg_5547.jpg"
["ljbh"]=>
string(21) "SI5515CDC-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI5515CDC-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(5) "12000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992488"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "20V"
["dl_lxlj"]=>
string(2) "4A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "36 毫欧 @ 6A，4.5V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(14) "800mV @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "11.3nC @ 5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "632pF @ 10V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "3.1W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(20) "8-SMD，扁平引线"
["gysqjfz"]=>
string(17) "1206-8 CHIPFET™"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI5515CDC-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5515CDC-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5515CDC-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 15V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.13W，1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:632pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：3.1W
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丝印：
外壳：
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-108
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515CDC-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "111"
["pdf_add"]=>
string(45) "http://www.vishay.com/docs/64737/si9945bd.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(72) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC,%208-SOP.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(21) "SI9945BDY-T1-GE3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(16) "SI9945BDY-T1-GE3"
["zddgs"]=>
string(4) "2500"
["xysl"]=>
string(5) "30000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992544"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "60V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "5.3A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "58 毫欧 @ 4.3A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "20nC @ 10V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "665pF @ 15V"
["gn_zdz"]=>
string(4) "3.1W"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(4) "8-SO"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI9945BDY-T1-GE3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9945BDY-T1-GE3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9945BDY-T1-GE3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 15V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.13W，1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:632pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：5.3A
功率 - 最大值：3.1W
|
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-111
包装：
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9945BDY-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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|
array(61) {
["id"]=>
string(3) "112"
["pdf_add"]=>
string(42) "http://www.vishay.com/docs/72320/72320.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TSOT-23-6,%20TSOT-6.jpg"
["images"]=>
string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95A.jpg"
["ljbh"]=>
string(19) "SI3993DV-T1-E3TR-ND"
["zzsbh"]=>
string(14) "SI3993DV-T1-E3"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(4) "6000"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1705992405"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP"
["xl"]=>
string(11) "TrenchFET®"
["zzs"]=>
string(6) "Vishay"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(3) "30V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "1.8A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(23) "133 毫欧 @ 2.2A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(11) "3V @ 250µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(10) "5nC @ 4.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(5) "830mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(27) "SOT-23-6 细型，TSOT-23-6"
["gysqjfz"]=>
string(6) "6-TSOP"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(5) "MF***"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "801"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： SI3993DV-T1-E3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3993DV-T1-E3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3993DV-T1-E3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
参数：
*fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:485mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:660mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 15V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.13W，1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:632pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:133 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：1.8A
功率 - 最大值：830mW
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外壳：
封装：6-TSOP
料号：JTG10-112
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3993DV-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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